BD139, Search Results
BD139, Price and Stock
onsemi BD139GTRANS NPN 80V 1.5A TO126 |
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BD139G | Bulk | 12,128 | 1 |
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BD139G | Bulk | 8 Weeks, 4 Days | 1 |
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BD139G | 4,363 |
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BD139G | 5,000 | 500 |
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BD139G | 930 | 10 Weeks | 1 |
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BD139G | Bulk | 700 | 1 |
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BD139G | Bulk | 20 |
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BD139G | 5,000 |
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BD139G | 490 |
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BD139G | 299 | 1 |
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BD139G | 1,665 |
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BD139G | 10 Weeks | 3,000 |
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BD139G | 500 | 11 Weeks | 500 |
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BD139G | Bulk | 27 |
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BD139G | 12 Weeks | 500 |
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BD139G | 5,000 |
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BD139G | 967 | 1 |
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onsemi BD13916STUTRANS NPN 80V 1.5A TO126-3 |
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BD13916STU | Tube | 9,189 | 1 |
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BD13916STU | Bulk | 16 Weeks, 4 Days | 1 |
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BD13916STU | 10,108 |
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BD13916STU | 98,315 | 1,450 |
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BD13916STU | 16,805 | 10 Weeks | 1 |
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BD13916STU | 8,600 |
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BD13916STU | 1,920 | 11 Weeks | 1,920 |
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BD13916STU | 12 Weeks | 1,920 |
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BD13916STU | 8,600 |
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BD13916STU | 1,296 | 1 |
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STMicroelectronics BD139-10TRANS NPN 80V 1.5A SOT32 |
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BD139-10 | Tube | 5,892 | 1 |
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BD139-10 | 7,161 |
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BD139-10 | 21,636 | 14 Weeks | 1 |
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BD139-10 | 7,161 | 1 |
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BD139-10 | 15,800 | 15 Weeks | 50 |
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BD139-10 | 37,550 | 15 Weeks | 50 |
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onsemi BD13910STUTRANS NPN 80V 1.5A TO126-3 |
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BD13910STU | Tube | 1,463 | 1 |
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BD13910STU | Bulk | 7 Weeks, 5 Days | 1 |
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BD13910STU | 189 |
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BD13910STU | 5,760 | 1,450 |
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BD13910STU | 3,040 | 10 Weeks | 1,920 |
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BD13910STU | 48 |
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BD13910STU | 5,760 | 1 |
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BD13910STU | 744 | 1 |
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BD13910STU | 10 Weeks | 3,840 |
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BD13910STU | 11 Weeks | 1,920 |
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BD13910STU | Tube | 350 |
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BD13910STU | 11 Weeks | 1,920 |
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BD13910STU | 1,507 |
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BD13910STU | 3,730 |
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onsemi BD13910STRANS NPN 80V 1.5A TO126-3 |
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BD13910S | Bulk | 353 | 1 |
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BD13910S | Bulk | 2,000 |
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BD13910S | 3,282 | 1 |
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BD139, Datasheets (121)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BD139 |
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Leaded Power Transistor General Purpose | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor - Pol=NPN / Pkg=TO126 / Vceo=80 / Ic=1 / Hfe=40-160 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=6.5 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor - Pol=NPN / Pkg=TO126 / Vceo=80 / Ic=1 / Hfe=40-160 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=6.5 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
|
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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NPN POWER TRANSISTORS - Pol=NPN / Pkg=TO126 / Vceo=80 / Ic=1 / Hfe=40-160 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=6.5 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
|
NPN power transistors - Pol=NPN / Pkg=TO126 / Vceo=80 / Ic=1 / Hfe=40-160 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=6.5 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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NPN GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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Silicon Planar Epitaxial Power Transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 | Siemens | Cross Reference Guide 1998 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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Complementary low voltage transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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NPN SILICON TRANSISTORS - Pol=NPN / Pkg=TO126 / Vceo=80 / Ic=1 / Hfe=40-160 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=6.5 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 | Various Russian Datasheets | Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 | Continental Device India | NPN Plastic Power Transistor | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 | Continental Device India | Semiconductor Device Data Book 1996 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BD139 | Crimson Semiconductor | EPITAXIAL BASE / PLANAR Transistors | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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Motorola Transistor Datasheets | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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The European Selection Data Book 1976 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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European Master Selection Guide 1986 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139 |
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Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book | Scan |
BD139, Datasheets Context Search
Catalog Datasheet | MFG & Type | Document Tags | |
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bo 139
Abstract: bd 1382 semiconductor bo 137 BD 266 S BD 139 N bd 317 BD139.6 TR bd 139 BD139 NPN BD 139 140
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OCR Scan |
L3b72S4 0GflM703 BD135 BD137 BD139 225AA bo 139 bd 1382 semiconductor bo 137 BD 266 S BD 139 N bd 317 BD139.6 TR bd 139 BD139 NPN BD 139 140 | |
TRANSISTOR tip122 CHN 949
Abstract: E2955T BD706 TU F 13003 13003 Transistor NPN Power TO 126 transistor E2955T construction linear amplifier 2sc1945 LA 4301 8d679 transistor bf 175
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OCR Scan |
38v01 TRANSISTOR tip122 CHN 949 E2955T BD706 TU F 13003 13003 Transistor NPN Power TO 126 transistor E2955T construction linear amplifier 2sc1945 LA 4301 8d679 transistor bf 175 |