2N6059* Search Results
2N6059* Price and Stock
STMicroelectronics 2N6059TRANS NPN DARL 100V 12A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N6059 | Tube |
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2N6059 | 2,705 |
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2N6059 | 2,164 |
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Microchip Technology Inc 2N6059PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N6059 | Bulk | 100 |
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2N6059 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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2N6059 | 16 |
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2N6059 | Bulk | 100 |
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2N6059 | 232 | 36 Weeks |
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2N6059 |
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2N6059 | Tray | 6 |
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2N6059 | 37 Weeks | 100 |
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2N6059 |
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Microchip Technology Inc JAN2N6059TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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JAN2N6059 | Bulk | 100 |
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JAN2N6059 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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JAN2N6059 | Bulk | 100 |
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JAN2N6059 | 79 | 36 Weeks |
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JAN2N6059 | Tray | 6 |
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JAN2N6059 |
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Microchip Technology Inc JANTX2N6059TRANS NPN DARL 100V 12A TO204AA |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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JANTX2N6059 | Bulk | 100 |
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JANTX2N6059 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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JANTX2N6059 | Bulk | 100 |
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JANTX2N6059 | 419 | 36 Weeks |
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JANTX2N6059 | Tray | 4 |
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JANTX2N6059 | 37 Weeks | 100 |
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JANTX2N6059 |
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Microchip Technology Inc JANTXV2N6059TRANS NPN DARL 100V 12A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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JANTXV2N6059 | Bulk | 100 |
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JANTXV2N6059 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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JANTXV2N6059 | Bulk | 100 |
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JANTXV2N6059 | 36 Weeks |
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JANTXV2N6059 | Tray | 3 |
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JANTXV2N6059 |
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2N6059* Datasheets (50)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6059 | Comset Semiconductors | Power Complementary Silicon Transistors - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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NPN Darlington Power Silicon Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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Darlington Complementary Silicon Power Transistor - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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TRANS DARLINGTON NPN 100V 12A 3TO-204AA - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically Sealed TO3 Metal Package - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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TRANS DARLINGTON NPN 100V 12A 2TO-3 - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 | Advanced Semiconductor | Silicon Transistor Selection Guide | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 | Boca Semiconductor | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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Darlington Bipolar Transistor, NPN, 100V at Tc=25C, TO-3, 2-Pin - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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POWER DARLINGTON TRANSISTORS (METAL) | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 | Crimson Semiconductor | EPITAXIAL BASE / PLANAR Transistors | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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Full Line Condensed Catalogue 1977 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6059 |
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12A N-P-N monolithic darlington power transistor. - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 | LAMBDA | Semiconductor Data Book V1 1988 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 | Mospec | POWER TRANSISTORS(12A,150W) - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750min / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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European Master Selection Guide 1986 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6059 |
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Power Transistor Selection Guide | Scan |